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深圳市烜芯微科技有限公司
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MOS管,MOS管串聯(lián)介紹
2021-10-15
MOS管,MOS管串聯(lián)介紹MOS管串聯(lián)I-V曲線(xiàn)本來(lái)應(yīng)該一樣，但是由于effL，PSE的存在，以及間接導(dǎo)致的DIBL，都會(huì)讓這兩個(gè)曲線(xiàn)有區(qū)別長(zhǎng)溝道器件，兩
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MOS管,各種MOS管的介紹
2021-10-14
MOS管,各種MOS管的介紹在實(shí)際項(xiàng)目中，我們基本都用增強(qiáng)型mos管，分為N溝道和P溝道兩種。我們常用的是NMOS，因?yàn)槠鋵?dǎo)通電阻小，且容易制造。
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ESD器件防護(hù)的原理介紹
2021-10-14
ESD器件防護(hù)的原理介紹一、ESD器件的主要性能參數(shù)1、最大工作電壓(Max Working Voltage)允許長(zhǎng)期連續(xù)施加在ESD保護(hù)器件兩端的電壓(有效值
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TVS管與ESD有什么區(qū)別介紹
2021-10-14
TVS管與ESD有什么區(qū)別介紹TVS管和ESD管都是保護(hù)器件，但是作用很不一樣。下面介紹：1 作用不一樣TVS管是瞬態(tài)抑制二極管，具有很快的響應(yīng)能
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集成穩(wěn)壓電源的分類(lèi)與特性介紹
2021-10-13
集成穩(wěn)壓電源的分類(lèi)與特性介紹一、集成穩(wěn)壓電源的分類(lèi)線(xiàn)性穩(wěn)壓器因其內(nèi)部調(diào)整管與負(fù)載相串聯(lián)且調(diào)整管工作在線(xiàn)性工作區(qū)而得名。優(yōu)點(diǎn)是： 穩(wěn)
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24V轉(zhuǎn)5V穩(wěn)壓芯片,低功耗降線(xiàn)性穩(wěn)壓器介紹
2021-10-13
24V轉(zhuǎn)5V穩(wěn)壓芯片,低功耗降線(xiàn)性穩(wěn)壓器介紹PW6206系列是一個(gè)高精度，高輸入電壓低靜態(tài)電流，高速，低功耗降線(xiàn)性穩(wěn)壓器具有高紋波抑制。輸入電
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AMS1117穩(wěn)壓芯片,AMS1117穩(wěn)壓芯片知識(shí)介紹
2021-10-13
AMS1117穩(wěn)壓芯片,AMS1117穩(wěn)壓芯片知識(shí)介紹AMS1117是一個(gè)正向低壓降穩(wěn)壓器，在1A電流下壓降為1 2V。AMS1117有兩個(gè)版本:固定輸出版本和可調(diào)版
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三端集成穩(wěn)壓器的相關(guān)問(wèn)題解析78L05/78M05/79L05
2021-10-12
三端集成穩(wěn)壓器的相關(guān)問(wèn)題解析78L05 78M05 79L0578L05管腳圖引腳圖及參數(shù)資料1）78L05和78M05的區(qū)別？三端穩(wěn)壓集成電路，L和M表示最大輸出
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電容的去耦特性知識(shí)理解
2021-10-12
電容的去耦特性知識(shí)理解電容去耦是電源完整性（Power Integrity，PI）設(shè)計(jì)里面很重要的一部分，而PI設(shè)計(jì)則是為了保證電源分配網(wǎng)絡(luò)（Power
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去耦電容與旁路電容的詳解
2021-10-12
去耦電容與旁路電容的詳解在電子電路中，去耦電容和旁路電容都是起到抗干擾的作用，電容所處的位置不同，稱(chēng)呼就不一樣了。對(duì)于同一個(gè)電路來(lái)
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關(guān)于電源去耦的知識(shí)解析
2021-10-11
關(guān)于電源去耦的知識(shí)解析了解基于電源抑制參數(shù)的去耦需求解析本文將討論如何通過(guò)電源去耦來(lái)保持電源進(jìn)入集成電路（IC）的各點(diǎn)的低阻抗。諸如
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單片機(jī)6N137高速光耦的電路圖解
2021-10-11
單片機(jī)6N137高速光耦的電路圖解下圖可以看到3144霍爾傳感器內(nèi)部組成，輸出信號(hào)處于三極管的集電極，當(dāng)進(jìn)入磁場(chǎng)后，output與GND導(dǎo)通之前使用